BLF0810S-180和PD57070-E

对比图

型号 BLF0810S-180 PD57070-E PD57070STR-E

描述 Base station LDMOS transistorsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - PowerSO-10RF SOT

频率 - 945 MHz -

耗散功率 - 95000 mW -

输出功率 - 70 W -

增益 - 14.7 dB -

测试电流 - 250 mA -

输入电容(Ciss) - 91pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) - 165 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 95000 mW -

额定电压 - 65 V -

封装 - PowerSO-10RF SOT

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -