FDMC8878和FDMC8878_F126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMC8878 FDMC8878_F126 FDMC8884

描述 FDMC8878 系列 30 V 14 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 33Trans MOSFET N-CH 30V 9.6A 8Pin MLP T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 Power-33-8 MLP-8 MLP-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0096 Ω - 0.016 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 31 W 2.1W (Ta), 31W (Tc) 18 W

阈值电压 1.7 V - 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.60 A - 9A

上升时间 4 ns - 2 ns

输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) 1230pF @15V(Vds) 685pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W 2.3 W

下降时间 3 ns - 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 31W (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc)

通道数 1 1 -

输入电容 1.23 nF - -

栅电荷 26.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 3 mm - 3.3 mm

宽度 3 mm - 3.3 mm

高度 0.95 mm - 0.725 mm

封装 Power-33-8 MLP-8 MLP-8

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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