BC856BW和BC856BWT1G

对比图

型号 BC856BW BC856BWT1G

描述 BC856BWON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SC-70-3

频率 - 100 MHz

额定电压(DC) - -65.0 V

额定电流 - -100 mA

针脚数 - 3

极性 - PNP

耗散功率 - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW

直流电流增益(hFE) - 150

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

增益频宽积 - -

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 0.9 mm

封装 SOT-323 SC-70-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99