对比图
型号 APT10035JLL APT10050JVFR IXTN21N100
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 4 3
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 28.0 A 19.0 A 21.0 A
耗散功率 520 W 450 W 520W (Tc)
输入电容 5.18 nF 7.90 nF -
栅电荷 186 nC 500 nC -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 19.0 A 21.0 A
上升时间 10 ns 13 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
下降时间 9 ns 8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 520W (Tc) 450000 mW 520W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 350 mΩ - -
阈值电压 3 V - -
漏源击穿电压 1000 V - -
额定功率(Max) 520 W - 520 W
额定功率 - - 520 W
极性 - - N-Channel
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
长度 38 mm - -
宽度 25.2 mm - -
高度 8.9 mm - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)