对比图
型号 RFP18N10 STP20NE10 BUZ21
描述 18A ， 80V和100V ， 0.100 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETsN - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO- 220 MOSFET的STripFET N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET21A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Intersil (英特矽尔) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-220-3 SFM
漏源极电阻 - 10.0 mΩ -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 90 W -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 20.0 A -
上升时间 - 37 ns -
下降时间 - 18 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
封装 - TO-220-3 SFM
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant