MMBFJ113和PMBFJ113,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ113 PMBFJ113,215 MMBFJ113S62Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ113.  场效应管, N沟道N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

击穿电压 -35.0 V -40.0 V -

漏源极电阻 100 Ω 100 Ω -

耗散功率 350 mW 300 mW -

漏源极电压(Vds) 35.0 V 40 V -

击穿电压 35 V 40 V -

输入电容(Ciss) - 6pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

额定电压(DC) 35.0 V - -

额定电流 2.00 mA - -

极性 N-Channel - -

栅源击穿电压 35 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.00 mA - -

长度 2.92 mm 3 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.93 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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