对比图
型号 MMBFJ113 PMBFJ113,215 MMBFJ113S62Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ113. 场效应管, N沟道N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)
分类 JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
击穿电压 -35.0 V -40.0 V -
漏源极电阻 100 Ω 100 Ω -
耗散功率 350 mW 300 mW -
漏源极电压(Vds) 35.0 V 40 V -
击穿电压 35 V 40 V -
输入电容(Ciss) - 6pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) 350 mW 300 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
额定电压(DC) 35.0 V - -
额定电流 2.00 mA - -
极性 N-Channel - -
栅源击穿电压 35 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.00 mA - -
长度 2.92 mm 3 mm -
宽度 1.3 mm 1.4 mm -
高度 0.93 mm 1 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -