KSH29CTF和MJD2955TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH29CTF MJD2955TF MJD29CTF

描述 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 3 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) 100 V -60.0 V 100 V

额定电流 1.00 A -10.0 A 1.00 A

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 1.56 W 1.75 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 60 V 100 V

集电极最大允许电流 1A 10A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 20 @4A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.75 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1560 mW 20 W -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.1 mm 6.1 mm -

高度 2.3 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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