对比图
型号 BSS84P H6327 NDS0605 BSS84LT1G
描述 INFINEON BSS84P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0605 晶体管, MOSFET, P沟道, 180 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -1.7 VON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -60.0 V -50.0 V
额定电流 - -180 mA -130 mA
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 8 Ω 5 Ω 10 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 360 mW 360 mW 225 mW
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 50 V
漏源击穿电压 - 60 V 50 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 180 mA 130 mA
上升时间 16.2 ns 6.3 ns 9.7 ns
输入电容(Ciss) 19pF @25V(Vds) 79pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 360 mW 225 mW
下降时间 20.5 ns 7.5 ns 1.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 225 mW
额定功率 - - 0.225 W
无卤素状态 - - Halogen Free
阈值电压 1.5 V - 2 V
输入电容 - - 36pF @5V
正向电压(Max) - - 2.2 V
长度 2.9 mm 2.92 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1.10 mm 0.93 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99