对比图
型号 IXFN70N60Q2 IXKN75N60C STE40NC60
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227BSOT-227B N-CH 600V 75AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 890 W 560W (Tc) 460 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 75A 40.0 A
上升时间 25 ns 30 ns 42 ns
下降时间 12 ns 10 ns 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 560W (Tc) 460W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 40.0 A
额定功率 - - 460 W
漏源极电阻 - - 130 mΩ
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) - 11100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 890 W - 460 W
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP
长度 - - 38.2 mm
宽度 - - 25.5 mm
高度 - - 9.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free