FQI7N80和FQI7N80TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI7N80 FQI7N80TU

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3Pin(3+Tab) I2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 In-Line TO-262-3

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 6.60 A

漏源极电阻 - 1.50 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.6A 6.60 A

上升时间 - 80 ns

输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 55 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 167W (Tc)

封装 In-Line TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Rail, Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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