对比图
型号 BQ4013MA-85 M48Z128-70PM1 DS1245AB-85+
描述 128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAMIC NVSRAM 1024Kbit 85NS 32DIP
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 32 32 -
封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) -
供电电流 50 mA 105 mA -
时钟频率 - 70.0 GHz -
存取时间 85 ns 70 ns 85 ns
内存容量 125000 B 125000 B -
存取时间(Max) 85 ns 70 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -
电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -
工作电压 - - 5 V
长度 42.8 mm 43.18 mm -
宽度 18.42 mm 18.8 mm -
高度 9.4 mm 9.52 mm -
封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -