IRF2804S-7PPBF和IRF2804STRL7PP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2804S-7PPBF IRF2804STRL7PP IRF2804STRR7PP

描述 INFINEON  IRF2804S-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 320 A, 40 V, 1.6 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 40V 280A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 -

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-252-3

额定功率 330 W 330 W -

针脚数 7 7 -

漏源极电阻 0.0016 Ω 0.0012 Ω 2 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 330 W 330 W 330 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 - 6930 pF -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 320A 280A 280A

上升时间 150 ns 120 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 6930pF @25V(Vds) 6930pF @25V(Vds) 6930pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 330 W -

下降时间 - 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 40 V

长度 - 10.5 mm 6.5 mm

宽度 - 10.05 mm 6.22 mm

高度 4.55 mm 4.55 mm 2.3 mm

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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