对比图
描述 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-78-6 TO-78 TO-46-3
引脚数 - - 3
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 50 @500mA, 10V
额定功率(Max) 600 mW - 500 mW
耗散功率 - - 500 mW
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 500 mW
封装 TO-78-6 TO-78 TO-46-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead -
ECCN代码 - - EAR99