FDMS8670S和FDS7088SN3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS8670S FDS7088SN3 BSC0902NSATMA1

描述 N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFETINFINEON  BSC0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SOIC-8 TDSON-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

额定功率 - - 48 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 3.40 mΩ 0.0022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 3W (Ta) 48 W

阈值电压 - - 1.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 21.0 A 24A

上升时间 19 ns 21.0 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @15V(Vds) 3230pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

下降时间 10 ns - 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 3W (Ta) 2500 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 42.0 A 21.0 A -

输入电容 4.00 nF 3.23 nF -

栅电荷 73.0 nC 57.0 nC -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

额定功率(Max) 2.5 W 1.7 W -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 6 mm - 5.9 mm

宽度 5 mm - 5.15 mm

高度 1.1 mm - 1.27 mm

封装 Power-56-8 SOIC-8 TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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