STN4NF03L和BSP030,115

对比图

型号 STN4NF03L BSP030,115 IRLL3303PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STN4NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 VNXP  BSP030,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.02 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.3 W 8.3 W 2.1 W

阈值电压 1 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 10.0 A 4.60 A

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 770pF @24V(Vds) 840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.3 W 8.3 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 3300 mW 8.3W (Tc) -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 6.50 A - 4.60 A

额定功率 3.3 W - 2.1 W

产品系列 - - IRLL3303

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

上升时间 100 ns - 22.0 ns

输入电容 330 pF - -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

下降时间 22 ns - -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.8 mm 1.7 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -