对比图
型号 STN4NF03L BSP030,115 IRLL3303PBF
描述 STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 VNXP BSP030,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.039 Ω 0.02 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.3 W 8.3 W 2.1 W
阈值电压 1 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 10.0 A 4.60 A
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 770pF @24V(Vds) 840pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.3 W 8.3 W 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 3300 mW 8.3W (Tc) -
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 6.50 A - 4.60 A
额定功率 3.3 W - 2.1 W
产品系列 - - IRLL3303
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
上升时间 100 ns - 22.0 ns
输入电容 330 pF - -
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
下降时间 22 ns - -
长度 6.5 mm 6.7 mm -
宽度 3.5 mm 3.7 mm -
高度 1.8 mm 1.7 mm -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -