对比图
型号 FQP4N25 STP6NB25 IRF625
描述 250V沟道MOSFET 250V Channel MOSFETN沟道250V - 0.9ohm - 6A TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFETPower Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Harris
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-220-3 TO-220 -
极性 N-Channel N-CH -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 6A -
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 3.60 A - -
漏源极电阻 1.75 Ω - -
耗散功率 52W (Tc) - -
漏源击穿电压 250 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 52 W - -
耗散功率(Max) 52W (Tc) - -
封装 TO-220-3 TO-220 -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -