2N5682和JANTXV2N5682

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5682 JANTXV2N5682

描述 NPN功率晶体管的硅放大器 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39 TO-39

耗散功率 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

封装 TO-39 TO-39

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

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