对比图
型号 IXFA10N80P IXFP10N80P APT11F80B
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 11.0 A
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 300 W 300W (Tc) 337W (Tc)
输入电容 - - 1.59 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) - - 11.0 A
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2471pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 337 W
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 337W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 1.1 Ω - -
阈值电压 5.5 V - -
漏源击穿电压 800 V - -
上升时间 22 ns - -
下降时间 22 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -