BC556和BC556BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC556 BC556BG BC556B

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconTransistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92

频率 150 MHz 280 MHz -

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 0.5 W 625 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V -

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 500 mW 625 mW -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 500 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Box Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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