对比图
型号 STP4NK80Z STP5NK100Z FQP4N80
描述 STMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 1.00 kV 800 V
额定电流 3.00 A 3.50 A 3.90 A
额定功率 80 W 125 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 3 Ω 3.7 Ω 3.60 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 125 W 130 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 800 V 1 kV 800 V
漏源击穿电压 800 V 1.00 kV 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.50 A 3.90 A
上升时间 12 ns 7.7 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 125 W 130 W
下降时间 32 ns 19 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80000 mW 125W (Tc) 130 W
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.1 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99