BC846BPDW1T1G和BC856BS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BPDW1T1G BC856BS,115 BC846BPN,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846BPDW1T1G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新NXP  BC856BS,115  单晶体管 双极, 双PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 200 hFENXP  BC846BPN,115  单晶体管 双极, NPN, PNP, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 6 6

极性 NPN, PNP PNP NPN, PNP

耗散功率 380 mW 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 290 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 300 mW 300 mW

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.95 mm 1 mm -

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

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