对比图
型号 BUK9675-55A@118 FDB050AN06A0 STB16NF06LT4
描述 BUK9675-55A@118PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 80.0 A 16.0 A
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 4.30 mΩ 0.07 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 245 W 45 W
输入电容 - 3.90 nF -
栅电荷 - 61.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 16.0 A
上升时间 - 160 ns 37 ns
输入电容(Ciss) - 3900pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 245 W 45 W
下降时间 - 29 ns 12.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 245W (Tc) 45W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 1 V
长度 - 10.67 mm 10.75 mm
宽度 - 9.65 mm 10.4 mm
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
封装 - TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99