FJN4310RBU和FJN4310RTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJN4310RBU FJN4310RTA

描述 1个PNP-预偏置 100mA 40V双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 200 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 600

高度 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3

长度 - 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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