APT56F60B2和IXFX48N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT56F60B2 IXFX48N60P APT56F60L

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETTrans MOSFET N-CH 600V 48A 3Pin(3+Tab) PLUS 247TO-264 N-CH 600V 60A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 1.04 kW 830W (Tc) 1040000 mW

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 48.0 A 60A

上升时间 75 ns 25 ns 75 ns

输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 8860pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1040 W

下降时间 60 ns 22 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 830W (Tc) 1040W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 48.0 A -

漏源极电阻 90 mΩ 135 mΩ -

输入电容 - 8.86 nF -

栅电荷 - 150 nC -

漏源击穿电压 600 V 600 V -

通道数 1 - -

阈值电压 2.5 V - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

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