SPP03N60C3和2SK2544(F)

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPP03N60C3 2SK2544(F) STP6NC60

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power TransistorTO-220AB N-CH 600V 6AN沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 38 W 80 W 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3.20 A 6A 6A

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1300pF @10V(Vds) 1020pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 38000 mW 80W (Tc) 125W (Tc)

上升时间 3 ns 25 ns -

额定功率(Max) 38 W 80 W -

下降时间 12 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 3.20 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.4 Ω - -

漏源击穿电压 650 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10 mm 10.16 mm -

宽度 4.4 mm 4.45 mm -

高度 15.65 mm 15.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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