MCP14E7-E/P和UCC27524P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E7-E/P UCC27524P LM5100BMAX/NOPB

描述 MICROCHIP  MCP14E7-E/P  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 2A输出, 45ns延迟, DIP-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524P  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 6ns延迟, DIP-83A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) -

工作电压 4.5V ~ 18V - -

上升/下降时间 12ns, 15ns 7ns, 6ns 570ns, 430ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2 A - 2 A

通道数 2 - -

针脚数 8 8 -

耗散功率 1120 mW - -

上升时间 35ns (Max) 18 ns 570 ns

下降时间 40ns (Max) 10 ns 430 ns

下降时间(Max) 35 ns 10 ns 430 ns

上升时间(Max) 30 ns 18 ns 570 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 140 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1120 mW - -

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 18 V 18 V 14 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 9 V

静态电流 - - 200 µA

长度 10.16 mm 10.16 mm 4.9 mm

宽度 7.11 mm 6.6 mm 3.9 mm

高度 4.95 mm 4.57 mm 1.5 mm

封装 PDIP-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 140℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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