对比图
型号 FDD8586 STD60N3LH5 STD17NF03LT4
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 5.5mOHM N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHMSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 4.00 mΩ 7.6 mΩ 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 77 W 60 W 30 W
阈值电压 - 1.8 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 24.0 A 17.0 A
上升时间 11.0 ns 33 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 2480pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 77 W 60 W 30 W
下降时间 - 4.2 ns 22 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 77W (Tc) 60W (Tc) 30W (Tc)
额定电压(DC) 20.0 V - 30.0 V
额定电流 35.0 A - 17.0 A
输入电容 2.48 nF - 320 pF
栅电荷 48.0 nC - -
漏源击穿电压 20.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99