IRF7319PBF和SI4532ADY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7319PBF SI4532ADY-T1-E3 IRF7319TRPBF

描述 INFINEON  IRF7319PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 VN/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorINFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.029 Ω 0.044 Ω 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A/4.9A 4.90 A 6.5A/4.9A

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) - 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 1.13 W 2 W

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

通道数 2 - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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