JAN2N918UB和JANTXV2N918UB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N918UB JANTXV2N918UB JANS2N918UB

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTrans RF BJT NPN 15V 0.05A 3Pin CSOT-23RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - 3

封装 SMD-3 SOT -

耗散功率 200 mW - -

输入电容 2 pF - -

击穿电压(集电极-发射极) 15 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @3mA, 1V - -

额定功率(Max) 200 mW - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

高度 1.42 mm - -

封装 SMD-3 SOT -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Pack - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 - - EAR99

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