MMBT3904和MMBT3904LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904 MMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G

描述 通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNTON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管通用晶体管 General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 300 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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