对比图
型号 VNN3NV0413TR VNN3NV04PTR-E NCV8402ASTT1G
描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsON SEMICONDUCTOR NCV8402ASTT1G MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 开关电源电源管理MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
无卤素状态 - - Halogen Free
输出接口数 1 1 1
输出电流 3.5 A 7 A 5.4 A
通道数 - - 2
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 120 mΩ - 0.165 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 35 W 7 W 1.1 W
阈值电压 - - 1.8 V
漏源极电压(Vds) - - 42 V
漏源击穿电压 40.0 V - 55 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A - 2A
输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 2 A
输入数 1 1 1
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 7000 mW 7000 mW 1620 mW
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 3.50 A - -
上升时间 250 ns - -
下降时间 250 ns - -
电源电压(Max) 55 V 55 V -
电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V -
供电电流 - 0.1 mA -
输出电流(Min) - 3.5 A -
长度 6.50 mm 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.50 mm 3.7 mm 3.7 mm
高度 - 1.8 mm 1.65 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99