DS1220AB-150IND和DS1220AB-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-150IND DS1220AB-100IND+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 150NS 24DIPIC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DIP-24 EDIP-24

引脚数 24 -

存取时间 150 ns 100 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 150 GHz -

内存容量 16000 B -

长度 34.04 mm 38.1 mm

宽度 18.29 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 10.67 mm

封装 DIP-24 EDIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台