PBSS3515E和PBSS3515F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3515E PBSS3515F PBSS3515M,315

描述 15 V , 0.5 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorBJT TRANS BISS TAPE-7DFN PNP 15V 0.5A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SC-75 SOT-523 SOT-883

频率 - - 280 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - - 0.43 W

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - - 150 @100mA, 2V

额定功率(Max) - - 430 mW

耗散功率(Max) - - 430 mW

封装 SC-75 SOT-523 SOT-883

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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