对比图
型号 STW13NM60N STW6N120K3 STW25N95K3
描述 N沟道600 V ， 0.28欧姆（典型值） ， 11一个的MDmesh II功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAK ， TO- 220 ， IPAK ， TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packagesSTMICROELECTRONICS STW6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW25N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.95 Ω 0.32 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 90W (Tc) 150 W 400 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 1200 V 950 V
上升时间 8 ns - 29 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 3680pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 150 W 400 W
下降时间 10 ns - 59 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 150W (Tc) 400W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 11A 6A -
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -