MMBT2222ALT1G和PMBT2222A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222ALT1G PMBT2222A MMBT2222A

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFENXP  PMBT2222A.  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 250 mW, 600 mA, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222A  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 250 mW 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

直流电流增益(hFE) 300 40 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 0.35 W

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 600 mA - 500 mA

额定功率 225 mW - -

增益频宽积 300 MHz - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW - 350 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.92 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.93 mm

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - NLR

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