对比图
型号 IPD50N06S4L12ATMA1 IPD50N06S4L12ATMA2
描述 DPAK N-CH 60V 50A晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0096 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 50 W 50 W
阈值电压 - 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A
上升时间 - 2 ns
输入电容(Ciss) 2890pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50000 mW
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅