IRF7807A和IRF7807TRPBF-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7807A IRF7807TRPBF-1 IRF7807

描述 SOIC N-CH 30V 8.3ASOIC N-CH 30V 8.3ASOIC N-CH 30V 8.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SO-8 SOIC SO-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 6.60 A - 13.0 A

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

产品系列 IRF7807A - IRF7807

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.30 A 8.3A 8.30 A

上升时间 17.0 ns - 17 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

下降时间 - - 6 ns

封装 SO-8 SOIC SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

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