对比图
型号 FDD120AN15A0 HUF75829D3S
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。18A ， 150V ， 0.110 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 150 V 150 V
额定电流 14.0 A 18.0 A
通道数 1 -
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.101 Ω 110 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 110 W
阈值电压 4 V -
输入电容 770 pF -
栅电荷 11.2 nC -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 18.0 A
上升时间 16 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 65 W 110 W
下降时间 19 ns 30 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -