对比图
型号 BCW30LT1 BCW30LT1G BCW30,235
描述 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR BCW30LT1G 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFETO-236AB PNP 32V 0.1A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 - 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 225 mW 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - - 215 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 225 mW 250 mW
耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW
额定电压(DC) -32.0 V -32.0 V -
额定电流 -100 mA -100 mA -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 215 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 -