IXFH75N10Q和STP80NF10

对比图

型号 IXFH75N10Q STP80NF10 APT10M19BVRG

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247ADN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247

通道数 1 1 -

漏源极电阻 20 mΩ 0.012 Ω -

耗散功率 300 W 300 W 370 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

上升时间 65 ns 80 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W -

下降时间 28 ns 60 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 370000 mW

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 80.0 A 75.0 A

额定功率 - 300 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 5500 pF 6.12 nF

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 75.0 A

栅电荷 - - 300 nC

长度 16.26 mm 10.4 mm -

宽度 5.3 mm 4.6 mm -

高度 21.46 mm 9.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -