IRFS38N20DTRLP和STB40NF20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS38N20DTRLP STB40NF20

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 44.0 A 40.0 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 160 W

阈值电压 - 3 V

输入电容 - 2.50 nF

栅电荷 - 75.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 25.0 A, 40.0 A

上升时间 - 44 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 160 W

下降时间 - 22 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 160W (Tc)

产品系列 IRFS38N20D -

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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