对比图
型号 IPW60R165CP STB25NM60N-1 STI25NM60ND
描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFETN沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 21.0 A 20.0 A -
漏源极电阻 0.15 Ω 170 mΩ 160 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 192 W 160 W 160 W
输入电容 2.00 nF 2.54 nF -
栅电荷 52.0 nC 84.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 12.8 A, 20.0 A 21A
上升时间 - 18 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 192 W 160 W -
下降时间 5 ns 24 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)
通道数 1 - 1
针脚数 3 - -
阈值电压 3 V - -
长度 16.13 mm 10 mm 10 mm
宽度 5.21 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 21.1 mm 8.95 mm 8.95 mm
封装 TO-247-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -