对比图
型号 MRF8HP21130HSR3 MRF8P18265HR6 AFT20P140-4WNR3
描述 W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V N-CH 1840MHzRF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Screw Surface Mount
引脚数 5 9 5
封装 NI-780S-4 NI-1230-8 OM-780-4
频率 2.17 GHz 1.88 GHz 1.88GHz ~ 1.91GHz
额定电流 - - 10 µA
输出功率 28 W 72 W 24 W
增益 14 dB 16 dB 17.8 dB
测试电流 360 mA 800 mA 500 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -40 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
电源电压 - - 28 V
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
耗散功率 118000 mW - -
耗散功率(Max) 118000 mW - -
封装 NI-780S-4 NI-1230-8 OM-780-4
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99