对比图
型号 FDS9431A SI4463CDY-T1-GE3 IRF7425TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9431A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mVVISHAY SI4463CDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mVINFINEON IRF7425TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 130 mΩ 0.006 Ω 0.0082 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 5 W 2.5 W
上升时间 20 ns 35 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 405pF @10V(Vds) 4250pF @10V(Vds) 7980pF @15V(Vds)
下降时间 21 ns 30 ns 160 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2700 mW 2.5W (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -3.50 A - -
通道数 1 - -
输入电容 405 pF - 7980 pF
栅电荷 6.00 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
连续漏极电流(Ids) -3.50 A - 15A
额定功率(Max) 1 W - 2.5 W
额定功率 - - 2.5 W
阈值电压 - - 1.2 V
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -