对比图
型号 FJP3305H1TU ST13005 MJE13005G
描述 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS ST13005 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 75 W, 4 A, 15 hFE4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
频率 4 MHz - 4 MHz
额定电压(DC) 700 V 400 V 400 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 75000 mW 75 W 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V
热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 4A 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 8 @2A, 5V 8 @2A, 5V
额定功率(Max) 75 W 75 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 75 W 75000 mW 75000 mW
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 15 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 9.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99