对比图
型号 IPD65R420CFDATMA1 IPD65R600E6BTMA1 IPD65R420CFDBTMA1
描述 DPAK N-CH 650V 8.7AInfineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 700V 8.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定功率 83.3 W 63 W 83.3 W
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 83.3W (Tc) 63W (Tc) 83.3W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 8.7A 7.3A 8.7A
输入电容(Ciss) 870pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 870pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 83.3 W 63 W 83.3 W
耗散功率(Max) 83.3W (Tc) 63W (Tc) 83.3W (Tc)
上升时间 - 8 ns 7 ns
下降时间 - 11 ns 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
长度 6.5 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.41 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅