TIP30CG和TIP32BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP30CG TIP32BG TIP30C

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP30CG.  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  TIP32BG.  射频双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP30C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 15 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -100 V -80.0 V -100 V

额定电流 -1.00 A -3.00 A -1.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 30 W 40 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 80 V 100 V

热阻 4.167℃/W (RθJC) 3.125℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 1A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 10 @3A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 75 50 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

长度 10.28 mm 10.28 mm 10.67 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 15.75 mm - 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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