MUN5215DW1T1G和PUMH10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5215DW1T1G PUMH10 PUMH4

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5215DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-363NXP  PUMH10  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363NXP  PUMH4  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-363 SOT-363

针脚数 - - 6

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.385 W 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 100 200

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - -

额定功率(Max) 250 mW - -

耗散功率(Max) 385 mW 300 mW -

电源电压 1.4 V - -

长度 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SOT-363 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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