2N7002LT1H和L2N7002LT1G

对比图

型号 2N7002LT1H L2N7002LT1G 2N7000L-T92-R

描述 SOT-23 N-CH 60V 0.115AN沟道,60V,0.115A,225mWSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电) UTC (友顺)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

漏源极电阻 - 7.5 Ω -

极性 N-CH N(with ESD) -

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.115A 0.115A -

电源电压 - 60 V -

耗散功率 0.3 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

最小包装 - 3000 -

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -