对比图
型号 IXGX120N60B IXGX120N60B3 APT60GT60BRG
描述 IGBT 600V 200A 660W TO247Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 247功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 200 A - 100 A
耗散功率 - 780 W 500000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 660 W 780 W 500 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 780000 mW 500000 mW
上升时间 45.0 ns - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 5.21 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99